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三星宣布新的NAND閃存設施以滿足未來的數據中心和移動需求

2021-08-01 17:22:11 編輯：來源：

導讀先進存儲技術的全球領導者三星電子今天宣布計劃擴大其在韓國平澤的 NAND 閃存產能，以增強該公司滿足新興技術需求的能力。今年 5 月開

先進存儲技術的全球領導者三星電子今天宣布計劃擴大其在韓國平澤的 NAND 閃存產能，以增強該公司滿足新興技術需求的能力。今年 5 月開始的建設將為三星在 2021 年下半年量產尖端的 V-NAND 存儲器鋪平道路。

三星電子內存全球銷售與營銷執行副總裁 Cheol Choi 表示：“新投資重申了我們在內存技術領域保持無可爭議的領先地位的承諾，即使在不確定時期也是如此。“我們將繼續為市場提供最優化的解決方案，同時為整個 IT 行業和整體經濟的增長做出貢獻。”

在人工智能、物聯網和 5G 擴張推動的第四次工業革命時代，新增容量將在幫助滿足 NAND 閃存的中長期需求方面發揮重要作用。隨著數字生活方式變得越來越流行，三星將繼續積極進行新的投資，以抓住未來的市場機遇。

三星的 NAND 閃存生產網絡從韓國的華城和平澤延伸到中國的西安。三星平澤園區成立于 2015 年，是下一代存儲技術的中心，由兩條世界上規模最大的生產線組成。

憑借其在制造和技術方面的顯著優勢，三星在過去 18 年中一直在 NAND 閃存領域處于領先地位，最近的一項創新是去年 7 月推出的業界首款第六代(1xx 層)V-NAND。通過對全球工廠的平衡投資，三星旨在維持強大的生產網絡，進一步鞏固其市場領導地位。

標簽：三星

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