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業內消息人士1月21日透露稱,三星電子代工廠已經針對其第2代3nm級工藝SF3開始進行試生產。該公司計劃將良率在未來的6個月內提高到60%以上。

消息人士表示,三星目前正在對SF3節點上制造的芯片的可靠性和性能進行測試。專門為可穿戴設備設計的應用處理器預計將會是第1個使用三星SF3工藝的芯片,并且將會用于 Galaxy watch 7等計劃在今年晚些時候發布的產品當中。
明年的Galaxy S25系列智能手機所搭載的Exynos 2500芯片預計將會使用這一節點。
此前三星方面曾經表示,公司計劃從2024年下半年開始進行SF3芯片的大規模量產。2023~2024年,將會主要生產3nm,包括SF3(3GAP)以及改進的版本SF3P(3GAP+)。該公司還計劃將2nm節點在2025~2026年推出。
據介紹,在同一個單元內,SF3節點可以實現不同的環繞炸晶體管納米片通道寬度,大大的提高了設計的靈活性,同時也使芯片的功耗更低,性能更高,采用優化的設計,將晶體管的密度增加。
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