自2010年以來，全球半導體產業界就一直在關注同一個話題：摩爾定律何時走到頭？這也意味著摩爾定律會失效，這種說法成為了經典的論調。

隨著半導體工藝的不斷升級，每次量產工藝的突破也意味著摩爾定律的懸疑。在28納米量產時，業界普遍認為10納米是硅基芯片的極限，這也意味著10納米時摩爾定律會壽終正寢。然而，現在，臺積電已經實現了3納米，并儲備了2納米和1納米工藝。這也說明摩爾定律的壽命仍在延長，但也有失效的危險。

為了應對這種情況，美國國防高級研究計劃局（DARPA）微系統技術辦公室于2017年6月推出了新的電子復興計劃（ERI，Electronics Resurgence Initiative），主要目的是擔心半導體技術朝前發展，摩爾定律會越來越失效。這個計劃在某種意義上是現實版本的“拯救半導體大兵摩爾”。

而摩爾定律的突圍之路包括優化芯片架構、優化芯片設計、改用更合適的材料以及高度集成。美國半導體行業協會（SIA）會同美國半導體研究聯盟（SRC）組織全球科學家對未來半導體發展方向進行了深度探討，形成了芯片從基礎階段到應用的八層架構，其中構成底層的四層與老摩爾1965年提出的四條突圍路線有異曲同工之妙。這對于中國作為半導體后進國家趕超歐美具有啟發意義。

中國可以從以下三個方面入手：一是材料，如探索超CMOS材料和器件；二是基礎架構，如使用新型金屬和復合材料；三是集成，如通過三維單片片上系統（3DSoC）計劃開發3D單片技術。

同時，中國也要抓住芯片制造業追趕的機遇，通過類似先進封裝方式進行性能快速提升。在美國電子復興計劃的第一批入選項目中，有一項稱為“利用致密細粒度的單片三維集成技術徹底改革計算系統”的項目，該項目的目標非常高遠，即通過使用單片三維集成系統，使傳統工藝（90-28納米級別）所制造的芯片能夠與目前最先進技術所制造的芯片相媲美。如果能夠實現這一目標，那么中國大陸也將擁有與臺積電7-16納米工藝一戰之力的能力。

此外，中國在半導體材料方面也要加強研究。雖然碳化硅等化合物半導體材料在功率器件上表現出色，但并不一定是硅基材料的合適替代品。因此，全球科學家普遍在探索“超CMOS”（beyond-CMOS）材料和器件，這些材料和器件將在未來的半導體產業發展中發揮重要作用。

最后，從整個芯片制造周期看，需要通過引入更高效能的EDA工具來實現智能設計（IDEA）。目標是創建一個布線圖智能生成器，使沒有電子設計專業知識的用戶能夠在24小時內完成電子硬件的物理設計，從而覆蓋混合信號集成電路、系統級封裝和印刷電路板等全領域。在設計方面的進步，可以大大加快芯片制造周期，從而更快地推向市場。